机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日
机译:宽带隙III-V材料的光化学气相沉积:光化学产生的自由基对氮化铝和氮化镓薄膜生长的影响
机译:宽间隙II-VI和氮化物半导体中的束缚激子。这些材料中浅掺杂剂的光学研究比较
机译:氮化物基宽带隙半导体中载流子动力学和非平衡光子的光学研究
机译:宽带隙III-V氮化物半导体的光学特性
机译:使用电子显微镜技术的宽带凝氮氮化物半导体的结构和光学性质
机译:提高了混相CO {sub 2}洪水的效率,增强了CO {sub 2}洪水异质油藏的前景。年报,1997年6月1日 - 1998年5月31日